Samsung Luncurkan Chip V-NAND QLC Generasi ke-9 untuk Solusi Penyimpanan Canggih

Samsung Electronics, produsen chip penyimpanan terkemuka, telah mengumumkan dimulainya produksi massal chip V-NAND QLC generasi ke-9 terbaru. Chip ini memiliki kapasitas penyimpanan 1 Terabit, setara dengan 125 gigabyte.

Sebelumnya, Samsung menjadi yang pertama memproduksi massal chip V-NAND generasi ke-9 dengan teknologi TLC (triple-level cell). Kini, Samsung meningkatkannya dengan solusi quad-level cell (QLC) yang memungkinkan penyimpanan 4 bit per sel, sehingga menghasilkan chip fisik dengan kepadatan penyimpanan yang lebih tinggi.

Inovasi ini menghasilkan kecepatan penulisan data dua kali lebih cepat dan konsumsi daya yang lebih rendah untuk membaca dan menulis data, masing-masing sebesar 30% dan 50%. SungHoi Hur, Wakil Presiden Eksekutif dan Kepala Produk & Teknologi Flash Samsung, menyatakan bahwa produksi massal ini hadir tepat waktu untuk memenuhi kebutuhan solusi SSD canggih di era kecerdasan buatan (AI).

Salah satu terobosan teknologi yang memungkinkan munculnya V-NAND QLC adalah Channel Hole Etching. Samsung berhasil mencapai jumlah lapisan yang lebih tinggi dengan struktur tumpukan ganda, mengoptimalkan area sel dan sirkuit periferal, sehingga meningkatkan kepadatan hingga 86% dibandingkan generasi sebelumnya.

Samsung juga mengadopsi teknologi Designed Mold, yang meningkatkan keseragaman dan optimalisasi karakteristik sel di dalam lapisan. Hasilnya, kinerja retensi data meningkat sebesar 20%, sehingga keandalan produk juga meningkat.

Produksi massal chip V-NAND QLC ini akan digunakan secara luas pada SSD. Solusinya kemudian akan diperluas ke PC, SSD server untuk layanan cloud, dan Universal Flash Storage yang banyak digunakan pada ponsel pintar.