Hamzah Arfan
Samsung terus berinovasi dalam aspek memori perangkat selulernya. Setelah menggunakan RAM LPDDR5 pada seri Galaxy S23 dan LPDDR5X pada seri S24, kini perusahaan dikabarkan akan melanjutkan penggunaan chip LPDDR5X pada seri Galaxy S25. Namun, ada perubahan penting pada node produksi chip memori tersebut.
Menurut laporan ETNews, Samsung akan menggunakan chip RAM 13nm yang diproduksi sendiri untuk seri Galaxy S24. Namun, untuk seri Galaxy S25, Samsung beralih ke produsen lain, Micron, untuk pesanan awal chip memori. Perusahaan diperkirakan akan mencampurkan chip RAM buatan Samsung dalam jumlah yang lebih besar untuk batch produksi selanjutnya.
Peralihan ke node produksi yang lebih kecil, yaitu 12nm, akan membawa keuntungan dalam hal konsumsi daya. Chip RAM dengan node yang lebih kecil akan membutuhkan energi yang lebih sedikit, sehingga mengurangi panas yang dihasilkan dan meningkatkan efisiensi perangkat.
Selain itu, seri Galaxy S25 juga akan dilengkapi dengan prosesor Snapdragon 8 Elite pada ketiga (atau empat) modelnya. Kombinasi chip RAM LPDDR5X dan prosesor Snapdragon 8 Elite diharapkan dapat memberikan peningkatan kinerja yang signifikan.
Perubahan yang paling mencolok adalah penambahan kapasitas RAM pada model Galaxy S25 standar. Model dasar ini akan memiliki RAM 12GB, menjadikannya flagship Samsung pertama yang meninggalkan kapasitas RAM 8GB. Peningkatan kapasitas RAM ini akan semakin memperkuat performa perangkat untuk berbagai aktivitas, termasuk penggunaan aplikasi berat dan multitasking.
Inovasi memori pada seri Galaxy S25 menunjukkan komitmen Samsung untuk menghadirkan perangkat seluler dengan kinerja tertinggi. Penggunaan chip RAM LPDDR5X pada node produksi yang lebih kecil akan memberikan efisiensi daya yang lebih baik dan performa yang lebih responsif. Pengguna dapat menantikan pengalaman yang lebih mulus dan produktif dengan seri Galaxy S25 mendatang.
GIPHY App Key not set. Please check settings